在科技日新月异的今天，半导体技术作为现代电子工业的核心，其发展动态一直备受全球关注。近日，第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛在北京隆重举行，会上公布了2024年度中国第三代半导体技术的十大重要进展。其中，西安电子科技大学与西安交通大学的科研成果凭借其卓越的创新性和实用性，成功入选这一荣誉榜单，展现了中国在半导体技术领域的强劲实力。

　　西安电子科技大学，作为国内电子信息领域的顶尖学府，其郝跃院士课题组在6至8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术上取得了重大突破。他们不仅攻克了该类电子器件在外延、设计、制造和可靠性等方面的系列难题，还将这些成果成功应用于功率半导体系列产品中，为我国的半导体产业发展注入了新的活力。

　　与此同时，西安交通大学也传来喜讯。王宏兴教授研究团队在金刚石超宽禁带半导体材料领域取得了国际领先水平的创新成果。他们成功实现了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的国产化，大幅提高了异质外延单晶金刚石的成品率和晶体质量，并成功实现了批量化生产。这一成果不仅填补了国内在该领域的空白，更为我国在全球半导体材料市场的竞争中赢得了重要的一席之地。

　　此次入选的科研成果，不仅是中国第三代半导体技术发展的一个缩影，更是中国科技创新实力的有力证明。这些成果的取得，离不开科研人员的辛勤付出和持续创新，也离不开国家对半导体产业的重视和支持。

　　展望未来，我们有理由相信，在中国科研人员的共同努力下，中国的第三代半导体技术将不断取得新的突破和进展，为我国的电子工业发展注入更加强劲的动力。同时，我们也期待更多的高校和科研机构能够加入到这一行列中来，共同推动中国半导体技术的蓬勃发展，为全球半导体产业的进步贡献更多的中国智慧和力量。